主要业务一览
我们可提供有助于提高元件可靠性的各类高纯度靶材。
Ti靶
本公司的Ti靶广泛用于Al布线的阻挡膜和硬掩模等半导体内需要使用Ti的部位。此外，生产高纯度钛的东邦钛株式会社也属于本集团下属公司，从原料到靶材有着完整的集团内部供应链。
特点
凭借20年的生产经验，拥有形状各异的产品阵容。
抑制异物发生并缩短预烧时间。
还开发完成了高功率溅射用材料。
技术内容与特性
纯度 4N5（Ti 99.995%以上） 5N 5N5
形状——对应市场上所有型号溅射装置，可满足生产任何晶圆直径对“SFG”、“SR”进行标准规格化——抑制异物发生，缩短预烧时间
SFG微小颗粒直径
SR加工
用途
布线的阻挡膜
硬掩模
栅电极
UBM
TSV等
Cu靶
本公司专为半导体开发了纯度为6N（99.9999%以上）的Cu靶，以减少溅射过程中的异物发生。本公司拥有完整的供应链，从资源开采、精炼到制靶的所有工序均可在集团公司内部完成，可为已成为行业标准的6N靶材的稳定供应保驾护航。
特点
以本公司研制的高纯度靶材作为标准品进行稳定供应。
减少异物发生效果优异。
均匀的粒径可稳定溅射数据。
技术内容与特性
我们销售纯度为6N（Cu 99.9999%以上）及半导体布线以外用途的4N5和5N产品。全溅射装置可处理任何晶圆直径。尤其是杂质O、S、P含量低，抑制异物发生效果提高。
所含杂质（示例）
溅射数据
用途
Cu布线的种子层
UBM
TSV等
Cu合金靶
我们坚持贯彻减少溅射时产生的异物，使用在矶原工厂内精炼的半导体用6N（99.9999%）Cu作为原料，并将丰富的知识经验运用到添加用金属的溶解方法中。由于量产性也十分优异，可以充分应对使用Cu合金的尖端半导体立项激增的需求。
特点
努力将异物的产生控制在极小限度。
粒径、合金成分配比在面内和截面方向上是均匀的。
可灵活响应客户所需的合金品种和成分配比。
非常适合量产。
技术内容与特性
品种 CuAl、CuMn等
此外，我们还可以根据客户需求提供各类添加金属和成分配比。我们同时也可提供不含Cu的合金，如有需要，请垂询本公司。
CuMn靶的低异物的示例（Mn浓度：1at%以下）溅射数据
用途
尖端半导体中Cu布线的种子层
Ta靶
通过使用业内最高纯度的原料，并自行进行从锻造、压延等上游工艺到制靶的全套工艺，可以控制影响溅射特性的粒径和取向。我们充分利用这一优势，无微不至地响应客户对于品质的要求，同时灵活地安排交期。
特点
提供满足客户品质要求的产品设计。
通过高纯度实现低异物发生。
非常适合量产。
技术内容与特性
纯度 4N5（实质上为5N以上）
我们可以满足产品厚度为0.25”、0.5”等客户的需求。
贯穿产品寿命周期的稳定性（使用Trio等级）溅射数据
低尘粒（使用Trio等级）溅射数据
用途
用于Cu布线时的阻挡
TSV用 等
其他
※本公司使用的Ta原料来源均已获得有关Conflict Minerals的第三方认证。
W靶
本公司通过粉末烧结制造纯度为5N（99.999%以上）、密度为99%以上的W靶，可兼顾品质和量产性。此外，为应对近来的高功率溅射需求，我们还推出了提高靶材与背板（BP）之间结合强度的扩散结合产品。
特点
通过高纯度化、高密度化降低了尘粒级别。
量产性优异。
通过扩散结合提高了耐热性。
技术内容与特性
与BP的结合方法 In（铟）材结合、扩散结合
所含杂质（示例）
低尘粒溅射数据
用途
栅电极用
其他
※此外，我们还销售W-Si和W-Ti靶。
各类栅用靶材
特点
半导体的电极是需要长期可靠性的部位，用于制造电极的材料也需要具有相同的可靠性。本公司在矶原工厂内进行Co和Ni的高纯度精炼，使用品质稳定的该纯正精制产品作为原料，同时通过量产化、合金化技术等持续供应高度可靠的产品。
产品纯度高，因此长期不易受到杂质影响。
磁性材料的磁特性非常稳定。
还可扩散连接。
面内的厚度均匀性优异。
技术内容与特性
产品（纯度）Co（5N 99.999%以上） Ni（5N） NiPt合金（4N5） 等
Co靶的磁导率 SPC
面内厚度偏差数据（Co靶的面内厚度偏差）
用途
栅电极用
其他
※除上述产品以外，我们还供应用于栅电极和功函数调节的各类靶材。如果您有需要的品种或成分，请垂询本公司。
各种溅射环、零件组
用于溅射200mm和300mm晶圆的Applied Materials产装置，其腔室装置内使用与靶材相同材料的溅射环、零件组。本公司供应用于Ti、Cu和Ta的溅射环、零件组。
特点
本公司是经美国Applied Materials, Inc.（AMAT）官方认证的供应商。
产品介绍
Ti 200mm 零件组（溅射环、螺丝、螺帽）
Cu 200mm 零件组（溅射环、螺丝、内螺帽等）
Ti 300mm 溅射环
Cu 300mm 溅射环
Ta 300mm 溅射环